El transistor de efecto campo de semiconductor óxido metálico (MOSFET) se construye sobre la base de un FET, añadiéndole una capa de dióxido de silicio, como se ilustra esquemáticamente abajo. Con ello se logra una impedancia de entrada extremadamente alta, en el rango de 10⁹ a 10¹⁴ ohmios.

El transistor de efecto campo de semiconductor óxido metálico (MOSFET) se construye sobre la base de un FET, añadiéndole una capa de dióxido de silicio (ver ilustración). Con ello se logra una impedancia de entrada extremadamente alta, en el rango de 10⁹ a 10¹⁴ ohmios.

El transistor de efecto campo de semiconductor óxido metálico (MOSFET) se construye sobre la base de un FET, añadiéndole una capa de dióxido de silicio (ver ilustración). Con ello se logra una impedancia de entrada extremadamente alta, en el rango de 10⁹ a 10¹⁴ ohmios.