Voltaje Base-Emisor

Toda la gama normal de funcionamiento del transistor de silicio, implica un cambio en la tensión de base-emisor de sólo alrededor de dos décimas de voltio. Esto es porque el diodo base-emisor está polarizado directo. Una de las limitaciones sobre la acción del transistor, es que esta tensión se mantiene en alrededor de 0,6 voltios (a menudo denominada como la caída del diodo). Un pequeño cambio en VBE puede producir un gran cambio en la corriente de colector, y lograr una amplificación de corriente.