Banda Prohibida en Semiconductores

Material
Intervalo de energía (eV)
0ºK
300ºK
Si
1,17
1,11
Ge
0,74
0,66
InSb
0,23
0,17
InAs
0,43
0,36
InP
1,42
1,27
GaP
2,32
2,25
GaAs
1,52
1,43
GaSb
0,81
0,68
CdSe
1,84
1,74
CdTe
1,61
1,44
ZnO
3,44
3,2
ZnS
3,91
3,6

Datación de Kittel, C., Introduction to Solid State Physics, 6th Ed., New York:John Wiley, 1986, p. 185.

Teoría de Bandas en SólidosBanda Prohibida en Semiconductores
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Tablas

Referencia
Thornton and Rex
Cap. 12
 
HyperPhysics*****Materia Condensada*****Electricidad y MagnetismoM Olmo R Nave
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Propiedades de Semiconductores: Bandas Prohibidas, Masas Efectivas, Constantes Dieléctricas

Semiconductor
Intervalo de energía (eV)
a 273ºK
Masa efectiva m*/mConstante dieléctrica
Electrones
Huecos
Ge
0,67
0,2
0,3
16
Si
1,14
0,33
0,5
12
InSb
0,16
0,013
0,6
18
InAs
0,33
0,02
0,4
14,5
InP
1,29
0,07
0,4
14
GaSb
0,67
0,047
0,5
15
GaAs
1,39
0,072
0,5
13
Teoría de Bandas en Sólidos
Electrones y Huecos
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Blatt
Cap. 13
 
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