Transistor Efecto de Campo de Unión
Dado que la unión puerta está polarizada inversamente y puesto que no hay una contribución de portadores minoritarios al flujo a través del dispositivo, la impedancia de entrada es extremadamente alta. El elemento de control del JFET proviene del canal n, por el drenaje de los portadores de carga. Cuando la puerta se hace más negativa, drena los portadores mayoritarios de la gran área de drenaje alrededor de la puerta. Esto reduce el flujo de corriente para un determinado valor de voltaje Fuente-Drenador. Modulando el voltaje de la puerta, se modula el flujo de corriente a través del dispositivo. |
Índice Conceptos de Electrónica Variedades de Transistores Referencia Diefenderfer & Holton Sec 8-7 | ||||||
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IGFET
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Índice Conceptos de Electrónica Variedades de Transistores Referencia Diefenderfer & Holton p170ff | ||
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Curvas Características del JFET
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Amplificador JFET de Fuente Común
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