Bandas en los Semiconductores Dopados

La aplicación de la teoría de banda en los semiconductores de tipo n y tipo p, muestra que las impurezas añaden niveles extras de energía. En el material de tipo n, hay niveles de energía de electrones cerca de la parte superior de la banda prohibida, de modo que pueden ser facilmente excitados hacia la banda de conducción. En el material de tipo p, los huecos extras en la banda prohibida, permiten la excitación de los electrones de la banda de valencia, dejando huecos móviles en la banda de valencia.

Estructura de Banda en el Tipo N

La adición de impurezas donantes contribuye a subir los niveles de energía de los electrones en la banda prohibida del semiconductores, de modo que pueden ser excitados facilmente hacia la banda de conducción. Esto desplaza el nivel de Fermi efectivo, a un punto a medio camino entre los niveles de los electrones donantes y la banda de conducción.

Con la energía proporcionada por un voltaje aplicado, los electrones pueden ser elevados a la banda de conducción, y moverse a través del material. Los electrones se dice que son los "portadores mayoritarios" del flujo de corriente en un semiconductor de tipo n.

Estructura de Banda en el Tipo P

Con la energía proporcionada por un voltaje aplicado, los electrones pueden ser elevados desde la banda de valencia hasta los huecos en la banda prohibida. Dado que los electrones pueden ser intercambiados entre los huecos, se dice que son móviles. Los huecos se dice que son los "portadores mayoritarios" para el flujo de corriente en un semiconductor de tipo p.